功率芯片測(cè)試
PB6800
SiC KGD測(cè)試分選系統(tǒng)
特點(diǎn)
出色的可擴(kuò)展性
模塊化設(shè)計(jì)，支持加載、卸載和多個(gè)測(cè)試站，增強(qiáng)多功能性
六路并行測(cè)試
最多支持2個(gè)溫區(qū)測(cè)試
支持動(dòng)態(tài)、靜態(tài)、UIS測(cè)試
支持高達(dá)2000V/600A的靜態(tài)測(cè)試
下料模塊化設(shè)計(jì)
可支持wafer/wafer+tape&reel/wafer+ auto tray下料
精確的溫度控制
從室溫到200°C，精度為±3°C，分辨率為0.1°C
氣密socket設(shè)計(jì)
通過氮?dú)獗Ｗo(hù)和氣壓監(jiān)測(cè)防止高壓打火
高效多站并行測(cè)試
最多6個(gè)測(cè)試站點(diǎn)，測(cè)試時(shí)間為0.7秒， UPH>4000
良好的維護(hù)性
支持炸die自動(dòng)更換socket，提升設(shè)備稼動(dòng)率
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類型 |
參數(shù) |
規(guī)格 |
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基本參數(shù) |
產(chǎn)品類型 |
SiC，IGBT |
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UPH |
最高4700，包括輸入和輸出 |
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裝載機(jī) |
晶圓，自動(dòng)托盤， 膠帶 |
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卸載機(jī) |
Wafer / Wafer + Auto Tray / Wafer + Tape&Reel |
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控溫能力 |
溫度范圍 |
最高溫度可達(dá) 200°C |
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溫度穩(wěn)定性 |
≤±3°C |
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檢測(cè)能力 |
測(cè)試站 |
最多 6 個(gè) |
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雜散電感 |
≤40nH |
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改裝套件 |
Socket |
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模具尺寸 |
2.5*2.5mm-8*8mm |
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模具厚度 |
100μm- 400μm |
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綜合搬運(yùn)精度 |
±30μm |
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卸載機(jī) |
Wafer / Wafer +Auto Tray / Wafer+Tape&Reel |
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更換插座 |
自動(dòng) |
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插座清潔 |
自動(dòng) |
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AOI |
6 |
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AOI 精確度 |
≥12μm |
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缺陷檢測(cè) |
正面/背面：劃痕、污垢、異物、裂紋、未填充的角落和崩裂 側(cè)面：削邊 |
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穩(wěn)定性 |
MTBF |
>168小時(shí) |
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MTBA |
>2小時(shí) |
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MTTA |
<5分鐘 |
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MTTR |
<30分鐘 |
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掉料率 |
≤0.01% |
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碎片率 |
≤0.01% |
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針痕深度 |
≤2μm |
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Drain開爾文 |
≤2Ω |
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光通信網(wǎng)絡(luò)作為信息通信的基礎(chǔ)設(shè)施，對(duì)我國(guó)大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、5G通信等市場(chǎng)的快速發(fā)展起重要的承載支撐作用，聯(lián)訊儀器光通訊儀表深度覆蓋光模塊光器件等核心產(chǎn)品的測(cè)試測(cè)量，包括采樣示波器，誤碼儀，波長(zhǎng)計(jì)，光譜儀，流量?jī)x以及通用光測(cè)量?jī)x表等，提供經(jīng)濟(jì)高效的完整解決方案。
Details
半導(dǎo)體前道檢測(cè)主要用于晶圓加工環(huán)節(jié)，目的是檢查每一步制造工藝后晶圓產(chǎn)品的加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)的要求或者存在影響良率的缺陷，半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備主要是用在晶圓加工之后、封裝測(cè)試環(huán)節(jié)內(nèi)，目的是檢查芯片的性能是否符合要求，屬于電性能的檢測(cè)。聯(lián)訊儀器提供晶圓老化及半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試機(jī)等集成解決方案，能夠滿足客戶日益增長(zhǎng)的多樣化需求。
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