硅光晶圓測(cè)試
sCT9001
硅光晶圓測(cè)試系統(tǒng)
聯(lián)訊儀器 sCT9001 全自動(dòng)硅光晶圓測(cè)試機(jī)，具有測(cè)試精度高、測(cè)試穩(wěn)定性好以及靈活的可擴(kuò)展性，適用于實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證與量產(chǎn)測(cè)試。
特點(diǎn)
自動(dòng)/半自動(dòng)
支持全自動(dòng)與半自動(dòng)方式上下晶圓片
晶圓尺寸
支持6/8寸晶圓（可定制4寸、12寸）
測(cè)試溫度
支持測(cè)試溫度范圍室溫~150 ℃（其它溫度可定制）
測(cè)試功能
支持光光測(cè)試，光電測(cè)試，電電參數(shù)測(cè)試
DC/AC
支持DC與AC測(cè)試
光柵耦合
支持光柵、FA耦合以及邊緣耦合
高效率
針對(duì)不同類型芯片，支持快速更換不同類型針卡
軟件功能
軟件支持增加客戶數(shù)據(jù)庫(kù)與MES功能功能與優(yōu)勢(shì)
高精度探針臺(tái)
?晶圓上料模式支持全自動(dòng)模式與半自動(dòng)模式作業(yè)，適用于實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證與大規(guī)模量產(chǎn)使用；
耦合測(cè)試模組：
?耦合測(cè)試模組包含耦合光探針、DC直流探針與RF射頻探針；測(cè)試參數(shù)
|
參數(shù)類型 |
測(cè)試參數(shù) |
參數(shù)指標(biāo) |
定義 |
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O/O |
Insert Loss |
dB/cm |
插入傳輸損耗 |
|
Coupling Strength |
% |
耦合效率，DUT接收到的光功率與入射光功率的比值 |
|
|
Polarization Dependent Loss |
dB |
偏振相關(guān)損耗， 指?jìng)鬏敼庑盘?hào)的偏振態(tài)在全偏振態(tài)變化時(shí)，不同偏振態(tài)通過DUT后最大功率與最小功率的比值 |
|
|
Wavelength Scan |
dBm |
全波長(zhǎng)掃描 |
|
|
3dB bandwidth |
Hz |
3dB帶寬測(cè)試 |
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|
O/E |
PD Responsivity |
A/W |
PD響應(yīng)度，PD探測(cè)器將接收到的光轉(zhuǎn)換成電流的效率 |
|
Modulator ER |
dB |
靜態(tài)消光比，調(diào)制器在不同偏置電壓下吸收后光功率的最大值與最小值的比值 |
|
|
E/E |
PD Dark Current |
nA |
PD暗電流，在無光條件下對(duì)PD增加偏置電壓測(cè)得的反饋電流 |
|
Heat Resistance |
Ω |
熱阻抗 |
系統(tǒng)測(cè)試指標(biāo)
|
序號(hào) |
規(guī)格 |
指標(biāo) |
|
1 |
支持晶圓尺寸 |
6寸~8寸（可訂制4寸、12寸） |
|
2 |
溫度范圍 |
RT~150℃ |
|
3 |
溫度均勻性 |
<±0.5℃ |
|
4 |
25℃→150℃ |
<15 mins |
|
5 |
150℃→25℃ |
<30 mins （手動(dòng)臺(tái)） |
|
6 |
上下料方式 |
自動(dòng)與手動(dòng) |
|
7 |
單次耦合時(shí)間 |
<2s（掃描軌跡長(zhǎng)度<300μm） |
|
8 |
耦合重復(fù)誤差 |
<0.2dB （單一通道） |
|
9 |
測(cè)試類型 |
DC測(cè)試，可升級(jí)支持AC |
|
10 |
測(cè)試項(xiàng)目 |
O/O，O/E，E/E |
|
11 |
帶寬測(cè)試偏差 |
<1.5G |
|
12 |
Wafer Map功能 |
可編輯且自動(dòng)生成Map，且顯示每個(gè)Die坐標(biāo) |
|
13 |
分Bin功能 |
支持分Bin，多種顏色區(qū)別測(cè)試結(jié)果，且顯示不同顏色數(shù)量與比例 |
|
14 |
自動(dòng)清針功能 |
支持 |
|
15 |
CCD自動(dòng)聚焦功能 |
支持 |
|
16 |
相機(jī)監(jiān)控畫面 |
支持低倍與高倍畫面 |
|
17 |
EMI屏蔽 |
>20dB @1KHz-1MHz |
|
18 |
光譜噪聲基底 |
≦150dBVrms/rtHz(≦1MHz) |
|
19 |
系統(tǒng)AC噪聲 |
≦15mVp-p(≦1GHz) |
| 20 | 耦合指標(biāo) | 光學(xué)耦合速度＜1.5s @單通道 耦合重復(fù)精度＜0.2dB (20次) 光功率穩(wěn)定性＜0.2dB@3min |
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Details
半導(dǎo)體前道檢測(cè)主要用于晶圓加工環(huán)節(jié)，目的是檢查每一步制造工藝后晶圓產(chǎn)品的加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)的要求或者存在影響良率的缺陷，半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備主要是用在晶圓加工之后、封裝測(cè)試環(huán)節(jié)內(nèi)，目的是檢查芯片的性能是否符合要求，屬于電性能的檢測(cè)。聯(lián)訊儀器提供晶圓老化及半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試機(jī)等集成解決方案，能夠滿足客戶日益增長(zhǎng)的多樣化需求。
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