SiC 功率器件迅速發(fā)展

功率半導(dǎo)體器件是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心器件，本質(zhì)上，是通過(guò)利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦詫?shí)現(xiàn)電源開(kāi)關(guān)和電力轉(zhuǎn)換的功能，無(wú)論是水電、核電、火電還是風(fēng)電， 甚至各種電池提供的化學(xué)電能，大部分無(wú)法直接使用，需由功率半導(dǎo)體器件進(jìn)行功率變換以后才能供設(shè)備使用。功率半導(dǎo)體器件可廣泛應(yīng)用于變頻、變相、變壓、逆變、整流、增幅、開(kāi)關(guān)等場(chǎng)合，能顯著降低系統(tǒng)功耗，被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、通信、消費(fèi)電子等工業(yè)領(lǐng)域。

SiC 基功率器件在大功率應(yīng)用場(chǎng)景具備天然優(yōu)勢(shì)，以 SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體材料禁 帶寬度大，具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等優(yōu)勢(shì)，因此采用 SiC 制備的半 導(dǎo)體器件在高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等應(yīng)用領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)獨(dú)特。

Yole預(yù)測(cè)，受新能源汽車和光伏領(lǐng)域應(yīng)用的強(qiáng)烈推動(dòng)，SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模將從2021 年的 10.90 億美元增至 2027 年的 62.97 億美元，CAGR 達(dá) 34%。

Known Good Die 測(cè)試

KGD(Known Good Die)通過(guò)測(cè)試等方法，在封裝之前剔除前工序生產(chǎn)的具有缺點(diǎn)隱患及失效的芯片(芯粒、籽芯、管芯)，提高封裝后良率以及滿足高密度多芯片封裝，降低生產(chǎn)成本，加快產(chǎn)品盡快推向上市。

聯(lián)訊儀器SiC KGD測(cè)試分選系統(tǒng) PB6600

裝置分離、強(qiáng)擴(kuò)展性，上下料部分的處理裝置與測(cè)試部分分離，擴(kuò)展性極強(qiáng)

六路并行測(cè)試，最多支持6個(gè)測(cè)試站，不同測(cè)試站支持不同的測(cè)試條件和項(xiàng)目

靜態(tài)測(cè)試 2000V/600A，動(dòng)態(tài)測(cè)試 1200V/2000A

測(cè)試結(jié)果精準(zhǔn)，室溫 ~ 200 ℃：精度＜±3℃，分辨率0.1℃

采用hard docking，系統(tǒng)雜散電感≤50nH

氮?dú)鈮毫z測(cè)，探針卡采用密封腔設(shè)計(jì)，防止電弧產(chǎn)生

UPH能力超過(guò)1400pcs，單測(cè)試站測(cè)試時(shí)間≤1秒