4月25日，由臺灣電子設備協(xié)會聯(lián)手國立臺灣大學工學院共同舉辦的第三屆化合物半導體國際論壇在臺北南港展覽館圓滿落下帷幕。本屆論壇旨在推動化合物半導體產(chǎn)業(yè)在臺灣的前進，邀請了海內(nèi)外重量級講師就“化合物半導體”的應用市場、制造設備、測試設備以及第四代化合物半導體等相關話題進行交流。

聯(lián)訊儀器市場副總林甲威作為特邀嘉賓參加了本次論壇，發(fā)表《Semight Turn-Key Solution for SiC Test and Reliability》的專題演講，分享聯(lián)訊儀器在SiC測試方面的完整方案和專業(yè)經(jīng)驗。

                                                             （聯(lián)訊儀器市場副總 林甲威）

本屆論壇主題為“化合物半導體”，邀請了ROHM、SiCEV、Coherent、Infineon、Yole Intelligence等各國大廠專家，針對新世代化合物半導體技術趨勢提供專業(yè)資訊。根據(jù)專業(yè)人士預測，SiC產(chǎn)業(yè)在2023——2029年間，以25%的年復合成長率快速增長，中國產(chǎn)能占比將大幅提升。

眾所周知，SiC 具有很強的擊穿力場和更高的導熱率，使得器件可以在高電壓和高達175℃的環(huán)境下高效運轉(zhuǎn)。但目前SiC制造存在很明顯的可靠性問題。比如較多的外在缺陷，閾值電壓的漂移，SiC MOSFET 的短路能力、雙極退化減少SiC器件的有源面積等等。

多年來，聯(lián)訊儀器深耕SiC制造與測試流程中的核心領域，堅持核心儀表自主研發(fā)，接連推出高壓串行參數(shù)測試系統(tǒng)WAT6300、晶圓級老化系統(tǒng)WLBI3800、 KGD測試分選機PB6400、Multi-site晶圓級可靠性測試設備 WLR0010等SiC相關測試設備，為SiC材料的研發(fā)、生產(chǎn)和應用提供了全方位的交鑰匙解決方案。

聯(lián)訊儀器長期保持高強度的研發(fā)投入，現(xiàn)有研發(fā)及生產(chǎn)場地超過20000㎡，研發(fā)人員占比超過50%，研發(fā)投入占比達到30%，是業(yè)內(nèi)領先的SiC晶圓老化、KGD測試系統(tǒng)供應商。