梦入神机,殿上欢,完美世界有声小说

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新突破：?jiǎn)尾?24Gbps采樣示波器和時(shí)鐘恢復(fù)單元—解鎖1.6T AI算力接口眼圖測(cè)試
2025.04.26

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WBG半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)測(cè)試方法研究
2025.08.01

WBG半導(dǎo)體器件（SiC、GaN等）相較于傳統(tǒng)硅基器件展現(xiàn)出卓越的性能優(yōu)勢(shì)，包括更高的工作頻率、更低的開(kāi)關(guān)損耗，優(yōu)異的高溫工作能力以及出色的耐壓特性等。為確保SiC等器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠的工作，業(yè)界實(shí)施了嚴(yán)苛的生產(chǎn)測(cè)試方式，包括長(zhǎng)時(shí)間老化（HTGB和HTRB）、動(dòng)態(tài)和靜態(tài)測(cè)試，以及KGD測(cè)試等。

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聯(lián)訊即將亮相日本COMNEXT，誠(chéng)邀您蒞臨C1-24展位交流指導(dǎo)！
2025.07.16

聯(lián)訊將攜系列光通信測(cè)試設(shè)備參展，重點(diǎn)展示面向高速光模塊、高速通信測(cè)試、1.6T等前沿領(lǐng)域的測(cè)試解決方案。

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解決方案 | 聯(lián)訊儀器誤碼儀產(chǎn)品線：助力高速通信測(cè)試
2025.07.15

聯(lián)訊儀器PBT3058針對(duì)性地提供了豐富的測(cè)試功能項(xiàng)，實(shí)現(xiàn)了最新協(xié)議要求的測(cè)試速率、碼型、FEC糾錯(cuò)分析、更強(qiáng)的信號(hào)調(diào)理單元，以及自動(dòng)均衡訓(xùn)練算法。我們將BERT端口以Remote Head形式做成射頻選件，盡可能保證測(cè)試鏈路的低損耗，以及硬件選件的靈活組合。

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源表應(yīng)用拓展：四探針?lè)y(cè)電阻率
2025.06.13

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聯(lián)訊儀器推出單波224Gbps誤碼分析儀—滿(mǎn)足1.6T算力接口誤碼測(cè)試需求
2025.06.09

作為國(guó)內(nèi)率先推出并送樣1.6T誤碼儀方案的供應(yīng)商,聯(lián)訊為下一代高速光模塊的測(cè)試應(yīng)用提供了完善的系統(tǒng)解決方案。

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揭示碳化硅器件可靠性：HTGB/HTRB老化特性與失效模式解析
2025.05.27

碳化硅（SiC）MOSFET作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體器件，正在引領(lǐng)電力電子技術(shù)的革命性發(fā)展。相較于傳統(tǒng)硅基器件，SiC MOSFET展現(xiàn)出顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)：其禁帶寬度是硅材料的3倍，臨界電場(chǎng)強(qiáng)度高出近一個(gè)數(shù)量級(jí)，這使得器件可以采用更薄且高摻雜的漂移層設(shè)計(jì)，從而大幅降低導(dǎo)通電阻、提升能量轉(zhuǎn)換效率并減少熱損耗。

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聯(lián)訊儀器4通道PXIe SMU S2019C，以1μV/1pA分辨率實(shí)現(xiàn)超高精度測(cè)試
2025.05.15

聯(lián)訊儀器最新推出的S2019C四通道PXIe SMU，在保持S2011C/S2012C/S2016C系列硬件平臺(tái)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了功能升級(jí)與性能突破。

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聯(lián)訊儀器攜KGD測(cè)試分選等系列解決方案亮相PCIM博覽會(huì)
2025.04.30

自 1979 年以來(lái)，PCIM 展覽會(huì)每年都在紐倫堡舉辦，至今仍是國(guó)際領(lǐng)先的電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源和能源管理展覽會(huì)。5月6-8日，聯(lián)訊儀器將在今年P(guān)CIM會(huì)場(chǎng)展示W(wǎng)LBI晶圓級(jí)老化系列、KGD測(cè)試分選系統(tǒng)、WAT半導(dǎo)體測(cè)試以及硅光晶圓測(cè)試等最新解決方案，我們期待與您相遇，共探前沿技術(shù)方案。

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