PXle插卡式源表
S2012C
單通道 PXIe 精密電源/測(cè)量單元
聯(lián)訊儀器S2012C 結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)濟(jì)高效的單通道PXIe電源/測(cè)量單元，能夠同時(shí)輸出和測(cè)量電壓和電流，能夠提供最大±200V、±1 A（直流）、±3A（脈沖）、20W恒功率輸出，支持傳統(tǒng)的SMU SCPI命令，讓測(cè)試代碼的遷移變得輕松快捷，支持現(xiàn)有大廠的PXIe機(jī)箱，可支持多卡同步，集成到生產(chǎn)測(cè)試系統(tǒng)中使用，以提高系統(tǒng)的測(cè)試效率并降低成本。
特點(diǎn)
高精度
分辨率高達(dá)10 fA/100 nV，
高量程、高速測(cè)量
±200 V、±1 A（直流）、
Adaptive PFC系統(tǒng)
利用Adaptive PFC
構(gòu)建多通道并行測(cè)試系統(tǒng)
基于標(biāo)準(zhǔn)PXIe機(jī)箱，功能與優(yōu)勢(shì)
5功能于一身
電壓源
可測(cè)試各種設(shè)備
捕獲更多的測(cè)量數(shù)據(jù)
? 6 位半的數(shù)字分辨率: 精度相當(dāng)于6 位半數(shù)字萬(wàn)用表；
豐富的掃描功能
直流I-V輸出能力
脈沖I-V輸出能力
電壓指標(biāo)
|
電壓精度 |
量程 |
設(shè)置分辨率 |
精度(1年) ±(%讀數(shù)+偏置) 【1】 |
典型噪聲(有效值) 0.1 Hz-10 Hz |
|
±200 V【2】 |
100 μV |
0.03% + 10 mV |
0.4 mV |
|
|
±20 V |
10 μV |
0.03% + 1 mV |
50 μV |
|
|
±6 V |
1 μV |
0.03% + 0.4 mV |
12 μV |
|
|
±0.6 V |
100 nV |
0.03% + 100 μV |
3 μV |
|
|
溫度系數(shù) |
±(0.15×精度指標(biāo))/℃(0℃-18℃，28℃-50℃) |
|||
|
過(guò)沖 |
<±0.1%(典型值，Normal，步進(jìn)是范圍的10%至90%，滿量程點(diǎn)，電阻性負(fù)載測(cè)試) |
|||
|
噪聲 10Hz-20MHz |
<5 mVrms ，20 V電壓源，1 A電阻負(fù)載 |
|||
[1]精度計(jì)算示例：測(cè)試600mV量程120mV輸出的精度，則允差為：
[2]本儀表有潛在的危險(xiǎn)高壓(±210 V)輸出到HI /Sense HI/Guard端子，為防止電擊，在開(kāi)機(jī)前必須做好相關(guān)的安全防范措施。請(qǐng)勿將Guard端子接到任何輸出，包括短接到機(jī)箱地或是輸出LO，否則會(huì)損壞儀表
電流指標(biāo)
|
電流精度 |
量程 |
設(shè)置分辨率 |
精度(1年) ±(%讀數(shù)+偏置) |
典型噪聲(有效值) 0.1Hz-10Hz |
|
±3 A【3】 |
1 μA |
0.03% + 2 mA |
40 μA |
|
|
±1 A |
100 nA |
0.03% + 90 μA |
7 μA |
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|
±100 mA |
10 nA |
0.03% + 9 μA |
600 nA |
|
|
±10 mA |
1 nA |
0.03% + 900 nA |
60 nA |
|
|
±1 mA |
100 pA |
0.03% + 90 nA |
6 nA |
|
|
±100 μA |
10 pA |
0.03% + 9 nA |
700 pA |
|
|
±10 μA |
1 pA |
0.03% + 1 nA |
80 pA |
|
|
±1 μA【4】 |
100 fA |
0.03% + 200 pA |
20 pA |
|
|
±100 nA【4】【5】 |
100 fA |
0.06% + 30 pA |
3 pA |
|
|
±10 nA【4】【5】 |
10 fA |
0.06% + 9 pA |
600 fA |
|
|
溫度系數(shù) |
±(0.15×精度指標(biāo))/℃(0℃-18℃，28℃-50℃) |
|||
|
過(guò)沖 |
<±0.1%(典型值，Normal，步進(jìn)是范圍的10%至90%，滿量程點(diǎn)，電阻性負(fù)載測(cè)試) |
|||
[3]3A量程僅支持脈沖模式，精度為典型值
[4]微弱小電流測(cè)量，建議保持使用三同軸線纜連接，若使用三同軸端子轉(zhuǎn)為普通接線的輸出方式，會(huì)影響儀表的電流精度
[5]附加規(guī)格條件：NPLC配置10PLC
| 最小可編程脈寬 | 100 μs | |||||||
| 脈寬編程分辨率 | 1 μs | |||||||
| 脈寬編程精度 | ±10 μs | |||||||
| 脈寬抖動(dòng) |
2 μs |
|||||||
| 脈沖寬度定義 | 如下圖所示，從 10 % 前沿到 90 % 后沿的時(shí)間 | |||||||
| 脈沖技術(shù)指標(biāo) | 最大電流限制 | 最大脈沖寬度 | 最大占空比 | |||||
| 1 | 0.1 A/200 V | DC,無(wú)限制 | 100% | |||||
| 2 | 1 A/20 V | DC,無(wú)限制 | 100% | |||||
| 4 | 3 A/66. 6V | 1 ms | 5% | |||||
| 5 | 3 A/160 V |
400 μs |
2% | |||||
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半導(dǎo)體前道檢測(cè)主要用于晶圓加工環(huán)節(jié)，目的是檢查每一步制造工藝后晶圓產(chǎn)品的加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)的要求或者存在影響良率的缺陷，半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備主要是用在晶圓加工之后、封裝測(cè)試環(huán)節(jié)內(nèi)，目的是檢查芯片的性能是否符合要求，屬于電性能的檢測(cè)。聯(lián)訊儀器提供晶圓老化及半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試機(jī)等集成解決方案，能夠滿足客戶日益增長(zhǎng)的多樣化需求。
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